CL180H5 - Высокое напряжение

Инновационная технология Silterra CL180H5 (повышенное напряжение, 0,180 мкм) разработана для обеспечения высоким напряжением модулей специально в малом/среднем драйвере экрана на одной микросхеме. Наша технология с поддержанием повышенного напряжения применяется для поддержания устройств с высокой плотностью памяти с малыми токами утечки.

Для этой технологии предлагаются библиотеки ячеек, площадок, настраиваемые блоки памяти и СФ-блоки с одноразовым программированием (One-Time-Programmable IP).

Ключевые особенности процесса CL180H5

  • Один поликремний, до 6 слоев металлизации
  • Поддерживаемое напряжение питания: ядро - 1,8 В, площадки – 5В
  • Изоляция мелкой канавкой
  • Ретроградный карман
  • Двойной подзатворный окисел.
  • Поверхностный канал N и P типа для МОП
  • Силицидированные кобальтом исток, сток и затвор
  • Алюминиевая металлизация с переходными окнами из вольфрама
  • Высокая плотность заполнения пустот плазмой
  • Конденсатор типа Металл-Диэлектрик-Металл (опционально)
  • Высокая плотность ячеек SRAM

Более полную информацию о данной технологии Вы можете найти на сайте компании Silterra.